Fotodetector de banda ultraancha ROF-PD-70 de fotorreceptor de InGaAs
Característica
Ancho de banda ultra alto
Alta resposta á luz
corrente de escuridade baixa
Onda estacionaria de porto baixo
Aplicación
Parámetros
Nota: A menos que se especifique o contrario, a temperatura de proba é de 25 ℃.
| Parámetro | Símbolo | Condicións de proba | Mín. | Tipo | Máx. | Unidade |
| Lonxitude de onda de funcionamento | λ | 1260 | 1550 | 1570 | nm | |
| Capacidade de resposta | R | Pin=0dBm, Vr =+2, Vλ=1550 nm |
| 0,6 |
| Outono/Inverno |
| Corrente escura | Id | Vr =+2 V |
| 20 | 60 | nA |
| ancho de banda de 3 dB | BW | Pin=0dBm, Vr =+2, Vλ=1550 nm | 60 | 67 |
| GHz |
| Perda de reflexión de RF | S22 | Pin = 0 dBm, Vr = +2, dentro do alcance de 10 M-67 GHz |
| -10 | -8 | dB |
| potencia óptica saturada | Psat | Vr = +2 V, λ = 1550 nm |
| 7 |
| dBm |
Valor nominal absoluto máximo
Valor nominal absoluto máximo
| nome do parámetro | Símbolo | Rvalor atado | Unidade |
| potencia óptica | Ps | 10 | dBm |
| Tensión de polarización positiva | Vr | 5 | V |
| Temperatura de funcionamento | Arriba | -40 ~ +70 | ℃ |
| Temperatura de almacenamento | Proba | -55 ~ +85 | ℃ |
Curvas de resposta típicas:
Os paquetes (Unidade: mm)
Dimensións e definición de pines
| PIN | Descrición funcional |
| PESAMENTO | +1-3V (recomendado +2V) |
| GND | conexión a terra |
| Interface de fibra óptica | Fibra SMF/fibra PMF, conector FC/APC, pin ≤ 10 dBm (recomendado ≤ 0-7 dBm) |
| Interface de RF | 1,85 mm，nai |
Información de pedidos
| R | PD | 70 g | A | XX | XX | XX |
| Fotodetector | -Largo de banda de 3 dB 70---70 GHz | Lonxitude de onda de funcionamento: 1260 ~ 1570 nm | SM----fibra monomodo | Tipo de conector FP ---FC/PCFA ---FC/APC | Método de acoplamento: CC |
Precaucións de uso
1. Débense tomar as medidas de protección ESD necesarias para evitar danos electrostáticos.
2. Non tires directamente da fibra da cola para evitar danar o dispositivo.
3. Preste atención a manter limpo o conector óptico para evitar a contaminación con po ou outros obxectos estraños que poidan afectar o seu rendemento.
Sobre nós
Rofea Optoelectronics exhibe unha ampla gama de produtos electroópticos, incluíndo moduladores, fotodetectores, fontes láser, láseres dfb, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores equilibrados, láseres semicondutores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, retardos ópticos, moduladores electroópticos, fotodetectores, controladores de díodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopados con erbio e láseres de fonte.
Tamén ofrecemos moduladores personalizados, incluíndo moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, especialmente deseñados para universidades e institutos de investigación.
Estes produtos presentan unha largura de banda electroóptica de ata 40 GHz, un rango de lonxitudes de onda de 780 nm a 2000 nm, baixa perda de inserción, baixo Vp e alto PER, o que os fai axeitados para unha variedade de enlaces RF analóxicos e aplicacións de comunicación de alta velocidade.
Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos de moduladores electroópticos comerciais, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser, amplificador de fibra óptica, medidor de potencia óptica, láser de banda ancha, láser sintonizable, detector óptico, controlador de díodos láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores específicos para a personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que os nosos produtos sexan útiles para vostede e a súa investigación.
