Rof modulador electro-óptico 1550nm serie AM modulador de intensidad 10G modulador mach-zehnder
Característica
* Baixa perda de inserción
* Alto ancho de banda
* Baixa tensión de media onda
* Opción de personalización
| Serie Rof-AM | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
| En funcionamentolonxitude de onda | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
| Ancho de banda | 10 GHz | 10 GHz | 10/20 GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20GHz | 40GHz |
| Perda de inserción | <5 dB | <5 dB | ＜5 dB | ＜5 dB | ＜4 dB | |||
| Ratio de extinción @DC | ＞20 dB | ＞20 dB | ＞20 dB | ＞20 dB | ＞20 dB | |||
| VΠ @RF (1KHz) | <3 V | <3 V | <4 V | <3,5 V | ＜6V | <5V | ||
| VΠ @Sesgo | ＜3.5V | ＜3.5V | <5 V | <5V | <8V | <7V | ||
Información de pedido
| Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| Tipo:AM---IntensidadeModulador | Lonxitude de onda:07---780nm 08 --- 850 nm 10---1060 nm 13---1310nm 15 --- 1550 nm | Ancho de banda:10GHz 20GHz 40GHz 50GHz
| Monitor PD:PD---Con PD 00 --- Sen PD | Tipo de fibra In-Out:PP---PM/PM
| Conector óptico:FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Cpersonalización |
R-AM-15-10G
Lonxitude de onda 1550nm 10GHz Modulador de intensidade
| Parámetro | Símbolo | Min | Típ | Máx | Unidade | ||||
| Parámetros ópticos | |||||||||
| En funcionamentolonxitude de onda | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Perda de inserción | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Perda de retorno óptico | ORL | -45 | dB | ||||||
| Relación de extinción de interruptor @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Relación dinámica de extinción | DER | 13 | dB | ||||||
| Fibra óptica | Entradaporto | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| saídaporto | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Interface de fibra óptica | FC/PC、FC/APC Ou usuario a especificar | ||||||||
| Parámetros eléctricos | |||||||||
| En funcionamentoancho de banda（-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
| Tensión de media onda Vpi | RF | @50KHz | 4.5 | 5 | V | ||||
| Bias | @Bias | 6 | 7 | V | |||||
| Eléctricoalperda de retorno | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Impedancia de entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Sesgo | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| Interface eléctrica | SMA(f) | ||||||||
Condicións límite
| Parámetro | Símbolo | Unidade | Min | Típ | Máx |
| Potencia óptica de entrada | Pen, máx | dBm | 20 | ||
| IPotencia de RF de entrada | dBm | 28 | |||
| tensión de polarización | Vbias | V | -15 | 15 | |
| En funcionamentotemperatura | Arriba | ℃ | -10 | 60 | |
| Temperatura de almacenamento | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Humidade | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21
Curva &S11
Curvas S21 e S11
Diagrama mecánico
| PORTO | Símbolo | Nota |
| En | Porto de entrada óptico | Fibra PM (125 μm/250 μm) |
| Fóra | Porto de saída óptica | Opción PM e SMF |
| RF | Porto de entrada de RF | SMA(f) |
| Sesgo | Porto de control de polarización | 1,2 Polarización, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos comerciais de moduladores electro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador de láser. , Amplificador de fibra óptica, Medidor de potencia óptica, Láser de banda ancha, Láser sintonizable, Detector óptico, Controlador de diodos láser, Amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores particulares para a súa personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultra baixo e moduladores de relación de extinción ultra alta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Espero que os nosos produtos sexan útiles para ti e para a túa investigación.
