Modulador de intensidade Rof, modulador de niobato de litio de película fina, modulador TFLN de 20G

Descrición curta:

O modulador de intensidade electroóptica da serie ROF-TFLN-20G baséase na tecnoloxía de guía de ondas de niobato de litio de película fina e na estrutura push-pull MZ, con baixa tensión de media onda e alta largura de banda operativa. O extremo de polarización (CC) adopta un método de axuste térmico, que pode reducir en gran medida a deriva de temperatura e funcionar de forma estable durante moito tempo en calquera punto de funcionamento. En comparación cos moduladores a granel, ten un volume menor, un menor consumo de enerxía e unha mellor estabilidade.


Detalle do produto

Rofea Optoelectronics ofrece produtos de moduladores electroópticos e fotónicos

Etiquetas do produto

Característica

 

l Relación de extinción > 25 dB (valor típico 30 dB)

l Alta estabilidade

l Alta banda de modulación

l Tensión de media onda baixa

 

Aplicación

l Fotóns de microondas

l Comunicación óptica de alta velocidade

l Comunicación cuántica

Modulador de intensidade Rof EOM Modulador de niobato de litio de película fina de 20G Modulador TFLN

Parámetro

Parámetro

Símbolo

Mín.

Tipo

Máx.

Unidade

parámetros ópticos
lonxitude de onda de traballo

l

1525

1565

nm

perda de inserción

IL

4.5

5.5

dB

Perda de retorno óptico

ORL

-25

dB

Relación de extinción do interruptor en CC

ER@DC

25

30

dB

fibra óptica terminal de entrada

Panda PM1550

extremo de saída

Panda PM1550

interface de fibra óptica

FC/PCFC/APC ou especificado polo usuario

Parámetros eléctricos
Ancho de banda de traballo (-3dB)

S21

20

25

GHz

Tensión de media onda de RF Vpi

Vπ a 1 GHz

3.5

V

Potencia de media onda polarizada Ppi

Pπ@Bias

45

50

mW

Tensión de entrada máxima no extremo de polarización

8

V

Perda de retorno eléctrica

S11

-12

-10

dB

impedancia de entrada de RF

ZRF

50

W

Interface eléctrica 2,92 mm femia

Condicións extremas

Parámetro

Símbolo

Unidade

Mín.

Tipo

Máx.

Potencia óptica de entrada a 1550 nm

Pen,Máx

dBm

20

Potencia de entrada de RF

dBm

23

Tensión de polarización do extremo de polarización

Vbias

V

0

8

Temperatura de funcionamento

Arriba

ºC

-10

60

Temperatura de almacenamento

Tst

ºC

-40

85

humidade

RH

%

5

90

 

Tamaño do paquete (mm)

 

 

Curva característica

 

 

Información do pedido

Modulador de intensidade de película fina de niobato de litio a 20 GHz

ROF TFLN XX XX XX
Modulador de intensidade de niobato de litio de película fina ancho de banda operativo20G---20GHz Fibra óptica de entrada/saídaPP---PMF-PMF conexiónFA---FC/APCFP---FC/PCSP---especificado polo usuario

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  • Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos de moduladores electroópticos comerciais, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser, amplificador de fibra óptica, medidor de potencia óptica, láser de banda ancha, láser sintonizable, detector óptico, controlador de díodos láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores específicos para a personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
    Esperamos que os nosos produtos sexan útiles para vostede e a súa investigación.

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