Modulador electroóptico Rof Modulador de intensidade LiNbO3 de 1550 nm 50G
Característica
* Baixa perda de inserción
* Ancho de banda elevado
* Baixa tensión de media onda
* Opción de personalización

Aplicación
⚫ Sistemas ROF
⚫ Distribución de claves cuánticas
⚫ Sistemas de detección láser
⚫ Modulación de banda lateral
Rof-Serie AM | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
lonxitude de onda de funcionamento | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
Ancho de banda | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz |
Perda de inserción | <5 dB | <5 dB | 5dB | 5dB | 4dB | |||
Taxa de extinción @DC | →20 dB | →20 dB | →20 dB | →20 dB | →20 dB | |||
VΠ @RF (1 kHz) | <3V | <3V | <4V | <3,5 V | 6V | <5V | ||
VΠ @Bias | 3.5V | 3.5V | <5 V | <5V | <8 V | <7V |
Información de pedidos
Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
Tipo: AM --- Modulador de intensidade | Lonxitude de onda: 07---780 nm 08---850 nm 10---1060 nm 13---1310 nm 15---1550 nm | Ancho de banda: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz
| Monitor PD:PD---Con PD 00 --- Sen PD | Tipo de fibra de entrada-saída: PP---PM/PM
| Conector óptico: FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Personalización |
R-AM-15-50G
Modulador de intensidade de lonxitude de onda de 1550 nm a 50 GHz
Parámetro | Símbolo | Mín. | Tipo | Máx. | Unidade | ||||
Parámetros ópticos | |||||||||
lonxitude de onda de funcionamento | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
perda de inserción | IL | 4 | 5 | dB | |||||
Perda de retorno óptico | ORL | -45 | dB | ||||||
Relación de extinción do interruptor @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
Taxa de extinción dinámica | DER | 13 | dB | ||||||
fibra óptica | Entradaporto | Panda PM Fujikura SM | |||||||
porto de saída | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
Interface de fibra óptica | FC/PC, FC/APC ou o usuario especifica | ||||||||
Parámetros eléctricos | |||||||||
Ancho de banda operativo(-3 dB) | S21 | 35 | 40 | GHz | |||||
Tensión de media onda Vpi | RF | a 50 kHz |
| 5 | 6 | V | |||
Prexuízo | @Bias |
| 7 | 8 | V | ||||
Perda de retorno eléctrica | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Impedancia de entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Prexuízo | ZPESAMENTO | 1M | W | ||||||
Interface eléctrica | V(f) |
Condicións límite
Parámetro | Símbolo | Unidade | Mín. | Tipo | Máx. |
Potencia óptica de entrada | Pen,Máx | dBm | 20 | ||
Potencia de RF de entrada | dBm | 28 | |||
tensión de polarización | Vbias | V | -15 | 15 | |
Temperatura de funcionamento | Arriba | ℃ | -10 | 60 | |
Temperatura de almacenamento | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
Humidade | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21

Curva &S11

Curvas S21 e S11
Diagrama mecánico

PORTO | Símbolo | Nota |
En | Porto de entrada óptico | Fibra PM (125 μm/250 μm) |
Fóra | Porto de saída óptica | Opción PM e SMF |
RF | Porto de entrada de RF | SMA(f) |
Prexuízo | Porto de control de polarización | 1,2 Polarización, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos de moduladores electroópticos comerciais, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser, amplificador de fibra óptica, medidor de potencia óptica, láser de banda ancha, láser sintonizable, detector óptico, controlador de díodos láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores específicos para a personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que os nosos produtos sexan útiles para vostede e a súa investigación.