ROF Modulador Electro-Optico de 1550 Nm Linbo3 Modulador de intensidade 50G
Característica
* Baixa perda de inserción
* Ancho de banda alto
* Baixa tensión de media onda
* Opción de personalización

Aplicación
⚫ Sistemas ROF
⚫ Distribución de clave cuántica
Sistemas de detección de láser
⚫ Modulación da banda lateral
Rof-Am Serie | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
Lonxitude de onda de funcionamento | 780nm | 850nm | 1064nm | 1310nm | 1550nm | |||
Ancho de banda | 10GHz | 10GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10GHz | 20GHz | 40GHz |
Perda de inserción | < 5dB | < 5dB | <5db | <5db | <4db | |||
Relación de extinción @DC | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | |||
VΠ @Rf (1khz) | < 3V | < 3V | < 4V | <3.5V | <6V | <5V | ||
VΠ @Bias | <3.5V | <3.5V | < 5V | <5V | <8v | <7V |
Información de pedido
Rof | AM | XX | Xxg | XX | XX | XX |
Tipo : AM --- Modulador de intensidade | Lonxitude de onda : 07 --- 780 Nm 08 --- 850nm 10 --- 1060 nm 13 --- 1310nm 15 --- 1550nm | Ancho de banda : 10GHz 20GHz 40GHz 50GHz
| Monitor PD: PD --- con PD 00 --- sen PD | Tipo de fibra in-out : PP --- PM/PM
| Conector óptico : FA --- FC/APC FP --- FC/PC SP --- personalización |
R-AM-15-50G
Modulador de intensidade de 50 Nm de lonxitude Waval
Parámetro | Símbolo | Min | TIPO | Máx | Unidade | ||||
Parámetros ópticos | |||||||||
Lonxitude de onda de funcionamento | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
Perda de inserción | IL | 4 | 5 | dB | |||||
Perda de retorno óptico | Orl | -45 | dB | ||||||
Relación de extinción de interruptor @DC | Er@dc | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
Relación de extinción dinámica | Der | 13 | dB | ||||||
Fibra óptica | Entradaporto | Panda pm fujikura sm | |||||||
Porto de saída | Panda pm fujikura sm | ||||||||
Interface de fibra óptica | FC/PC 、 FC/APC ou usuario para especificar | ||||||||
Parámetros eléctricos | |||||||||
Ancho de banda operativo(-3dB) | S21 | 35 | 40 | GHz | |||||
VPI de tensión de media onda | RF | @50kHz |
| 5 | 6 | V | |||
Sesgo | @Bias |
| 7 | 8 | V | ||||
Perda de retorno eléctrico | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Impedancia de entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Sesgo | ZSesgo | 1M | W | ||||||
Interface eléctrica | V(F) |
Condicións limitadas
Parámetro | Símbolo | Unidade | Min | TIPO | Máx |
Entrada de enerxía óptica | Pen, máx | DBM | 20 | ||
Entrada RF Power | DBM | 28 | |||
tensión de sesgo | Vbias | V | -15 | 15 | |
Temperatura de funcionamento | Arriba | ℃ | -10 | 60 | |
Temperatura de almacenamento | TST | ℃ | -40 | 85 | |
Humidade | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21

& S11 Curva

Curvas S21 e S11
Diagrama mecánico

Porto | Símbolo | Nota |
En | Porto de entrada óptica | FIBRA PM (125 μm/250μm) |
Fóra | Porto de saída óptica | Opción PM e SMF |
RF | Porto de entrada RF | SMA (F) |
Sesgo | Porto de control de sesgo | 1,2 sesgo, 34-n/c |
Rofea optoelectronics ofrece unha liña de produtos de moduladores electro-ópticos comerciais, moduladores de fase, modulador de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, qpsk Modulation, Pulse Laser, Light Potencia, Photodetector de qpsk, Pulse Laser, Pulse, Pulse Driver, Laser, Laser Driver Laser, Laser Laser Láser, láser axustable, detector óptico, controlador de diodo láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores particulares para a personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, VPI ultra-baixa e moduladores de relación de extinción ultra-alta, usados principalmente en universidades e institutos.
Espero que os nosos produtos sexan útiles para vostede e as súas investigacións.