Rof Modulador electro-óptico 1550nm LiNbO3 Modulador de intensidade 50G
Característica
* Baixa perda de inserción
* Alto ancho de banda
* Baixa tensión de media onda
* Opción de personalización
Aplicación
⚫ Sistemas ROF
⚫ Distribución de claves cuánticas
⚫ Sistemas de detección láser
⚫ Modulación de banda lateral
Rof- Serie AM | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
Lonxitude de onda operativa | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
Ancho de banda | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz |
Perda de inserción | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <5 dB | <4 dB | |||
Ratio de extinción @DC | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | >20 dB | |||
VΠ @RF (1KHz) | <3 V | <3 V | <4 V | <3,5 V | <6V | <5V | ||
VΠ @Bias | <3.5V | <3.5V | <5 V | <5V | <8V | <7V |
Información de pedido
Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
Tipo: AM---Modulador de intensidade | Lonxitude de onda: 07---780 nm 08 --- 850 nm 10---1060 nm 13 --- 1310 nm 15 --- 1550 nm | Ancho de banda: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz
| Monitor PD:PD---Con PD 00 --- Sen PD | Tipo de fibra de entrada e saída: PP---PM/PM
| Conector óptico: FA---FC/APC FP---FC/PC SP---Personalización |
R-AM-15-50G
Lonxitude de onda 1550nm 50GHz Modulador de intensidade
Parámetro | Símbolo | Min | Típ | Máx | Unidade | ||||
Parámetros ópticos | |||||||||
Lonxitude de onda operativa | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
Perda de inserción | IL | 4 | 5 | dB | |||||
Perda de retorno óptico | ORL | -45 | dB | ||||||
Relación de extinción de interruptor @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
Relación dinámica de extinción | DER | 13 | dB | ||||||
Fibra óptica | Entradaporto | Panda PM Fujikura SM | |||||||
porto de saída | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
Interface de fibra óptica | FC/PC、FC/APC Ou usuario a especificar | ||||||||
Parámetros eléctricos | |||||||||
Ancho de banda operativo(-3dB) | S21 | 35 | 40 | GHz | |||||
Tensión de media onda Vpi | RF | @50KHz |
| 5 | 6 | V | |||
Sesgo | @Bias |
| 7 | 8 | V | ||||
Perda de retorno eléctrico | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Impedancia de entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Sesgo | ZBIAS | 1M | W | ||||||
Interface eléctrica | V(f) |
Condicións límite
Parámetro | Símbolo | Unidade | Min | Típ | Máx |
Potencia óptica de entrada | Pen, máx | dBm | 20 | ||
Potencia de entrada de RF | dBm | 28 | |||
tensión de polarización | Vbias | V | -15 | 15 | |
Temperatura de funcionamento | Arriba | ℃ | -10 | 60 | |
Temperatura de almacenamento | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
Humidade | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21
Curva &S11
Curvas S21 e S11
Diagrama mecánico
PORTO | Símbolo | Nota |
En | Porto de entrada óptico | Fibra PM (125 μm/250 μm) |
Fóra | Porto de saída óptica | Opción PM e SMF |
RF | Porto de entrada de RF | SMA(f) |
Sesgo | Porto de control de polarización | 1,2 Polarización, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos comerciais de moduladores electro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador de láser. , Amplificador de fibra óptica, Medidor de potencia óptica, Láser de banda ancha, Láser sintonizable, Detector óptico, Controlador de diodos láser, Amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores particulares para a súa personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultra baixo e moduladores de relación de extinción ultra alta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Espero que os nosos produtos sexan útiles para ti e para a túa investigación.