Fotodetector de silicio ROF de 2,5 GHz con ganancia fixa e ancho de banda elevado
Característica
lLonxitude de onda: 850/1064/1310/1550 nm
lAncho de banda de 3 dB: 2,5 GHz
lRelación de rexeitamento de modo común: > 25 dB
lAlta ganancia
Aplicación
⚫Detección heterodina
⚫Medición do retardo óptico
⚫Sistema de detección de fibra óptica
⚫ (OUTUBRO)
Diagrama esquemático SS-OCT
Parámetros
Parámetros de rendemento BPR-2GHz
| modelo | R-BPR-2G-B-FC | R-BPR-2,5 G-A1-FC | R-BPR-2,5 G-A2-FC |
| rango de resposta espectral | 500~880 nm | 900-1400 nm | 1200-1700nm |
| lonxitude de onda típica | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm/1550 nm |
| capacidade de resposta | 0,45Outono/Invernoa 850 nm | 0.7Outono/Inverno@1064 nm | 0,9Outono/Inverno@1550 nm |
| ancho de banda de 3 dB | 50K~2GHz | 50K~2,5 GHz | 50K~2,5 GHz |
| Relación de rexeitamento en modo común (CMRR) | >25dB (30dB típico) | >25dB (30dB típico) | >25dB (30dB típico) |
| Ganancia en estado de alta impedancia | 6,5×103V/W | 10.1×103V/W | 14,5×103V/W |
| Tensión de ruído (RMS) | 20 mVRMS | 6 mVRMS | 8 mVRMS |
| Amplitude máxima de saída a 50Ω | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp | 5,5 Vpp |
| Potencia óptica de danos | 10 mW | ||
| Rango de temperatura de funcionamento | -20~+70℃ | ||
| Tensión de traballo | DC ±12 V(Equipado cun adaptador de corrente de baixo ruído) | ||
| corrente de funcionamento | 350 mA | ||
| Conector de entrada | FC | ||
| Conector de saída | AME | ||
| impedancia de saída | 50 ohmios | ||
| Método de acoplamento de saída | Acoplamento de CA | ||
| Dimensións externas (mm) | 78,5 mm×71 mm×25,7 mm | ||
Curva
Curva característica
Curva de resposta espectral Diagrama do circuíto interno
Dimensións (mm)
Sobre nós
Rofea Optoelectronics exhibe unha ampla gama de produtos electroópticos, incluíndo moduladores, fotodetectores, fontes láser, láseres dfb, amplificadores ópticos, EDFA, láseres SLD, modulación QPSK, láseres pulsados, fotodetectores, fotodetectores equilibrados, láseres semicondutores, controladores láser, acopladores de fibra, láseres pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potencia óptica, láseres de banda ancha, láseres sintonizables, retardos ópticos, moduladores electroópticos, fotodetectores, controladores de díodos láser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopados con erbio e láseres de fonte.
Tamén ofrecemos moduladores personalizados, incluíndo moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, especialmente deseñados para universidades e institutos de investigación.
Estes produtos presentan unha largura de banda electroóptica de ata 40 GHz, un rango de lonxitudes de onda de 780 nm a 2000 nm, baixa perda de inserción, baixo Vp e alto PER, o que os fai axeitados para unha variedade de enlaces RF analóxicos e aplicacións de comunicación de alta velocidade.
Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos de moduladores electroópticos comerciais, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador láser, amplificador de fibra óptica, medidor de potencia óptica, láser de banda ancha, láser sintonizable, detector óptico, controlador de díodos láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores específicos para a personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinción ultraalta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Esperamos que os nosos produtos sexan útiles para vostede e a súa investigación.













