Rof EOM 1550nm modulador de intensidade 2,5G modulador de niobato de litio de película delgada

Breve descrición:

O modulador de intensidade LiNbO3 é amplamente utilizado en sistemas de comunicación óptica de alta velocidade, detección láser e sistemas ROF debido ao bo rendemento electro-óptico. A serie R-AM baseada na estrutura push-pull MZ e deseño X-cut ten características físicas e químicas estables, que se poden aplicar tanto en experimentos de laboratorio como en sistemas industriais.

Envíanos un correo electrónico

Detalle do produto

Rofea Optoelectronics ofrece produtos de moduladores electro-ópticos ópticos e fotónicos

Etiquetas de produtos

Característica

* Baixa perda de inserción
* Alto ancho de banda
* Baixa tensión de media onda
* Opción de personalización

Modulador electro-óptico Modulador electro-óptico Modulador de intensidade LiNbO3 Modulador MZM Modulador Mach-Zehnder Modulador LiNbO3 Modulador de niobato de litio

Aplicación

⚫ Sistemas ROF
⚫ Distribución de claves cuánticas
⚫ Sistemas de detección láser
⚫ Modulación de banda lateral

Lonxitude de onda

⚫ 750 nm

⚫850nm

⚫ 1064 nm

⚫ 1310 nm

⚫ 1550 nm

Ancho de banda

⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz

R-AM-15-2.5G

Parámetro				Símbolo		Min	Típ	Máx	Unidade
Parámetros ópticos
En funcionamentolonxitude de onda				l		1530	1550	1565	nm
Perda de inserción				IL			4	5	dB
Perda de retorno óptico				ORL				-45	dB
Relación de extinción de interruptor @DC				ER@DC		20	23	45	dB
Relación dinámica de extinción				DER			13		dB
Fibra óptica	Entradaporto					Panda PM Fujikura SM
	saídaporto					Panda PM Fujikura SM
Interface de fibra óptica						FC/PC、FC/APC Ou usuario a especificar
Parámetros eléctricos
En funcionamentoancho de banda（-3dB)					S₂₁	2.5	3		GHz
Tensión de media onda Vpi		RF			@50KHz		4.5	5	V
		Bias			@Bias		6	7	V
Eléctricoalperda de retorno					S₁₁		-12	-10	dB
Impedancia de entrada			RF		Z_RF	50			W
			Sesgo		Z_BIAS	1M			W
Interface eléctrica						SMA(f)

Condicións límite

Parámetro	Símbolo	Unidade	Min	Típ	Máx
Potencia óptica de entrada	P_{en, máx}	dBm			20
IPotencia de RF de entrada		dBm			28
tensión de polarización	Vbias	V	-15		15
En funcionamentotemperatura	Arriba	℃	-10		60
Temperatura de almacenamento	Tst	℃	-40		85
Humidade	RH	%	5		90

Curva S21

Curva &S11

Curvas S21 e S11

Diagrama mecánico

PORTO	Símbolo	Nota
En	Oporto de entrada óptico	Fibra PM (125 μm/250 μm)
Fóra	Oporto de saída óptico	PM Fibra(125 μm/250 μm)
RF	RPorto de entrada F	SMA(f)/ K(f) / V(f)
Sesgo	Porto de control de polarización	1,2 Sesgo, 3- Cátodo PD, ánodo 4-PD

Anterior: Rof electro modulador óptico 1550nm serie AM modulador de intensidade de alta relación de extinción

Seguinte: Modulador electro-óptico Rof Portador de supresión de 1550 nm Modulador de banda lateral única Modulador SSB

Rofea Optoelectronics ofrece unha liña de produtos comerciais de moduladores electro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz láser, láseres DFB, amplificadores ópticos, EDFA, láser SLD, modulación QPSK, láser de pulso, detector de luz, fotodetector equilibrado, controlador de láser. , Amplificador de fibra óptica, Medidor de potencia óptica, Láser de banda ancha, Láser sintonizable, Detector óptico, controlador de diodo láser, amplificador de fibra. Tamén ofrecemos moitos moduladores particulares para a súa personalización, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultra baixo e moduladores de relación de extinción ultra alta, utilizados principalmente en universidades e institutos.
Espero que os nosos produtos sexan útiles para ti e para a túa investigación.

Produtos relacionados